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1. 国家自然科学基金项目“功率系统的三维集成技术研究”，项目编号：61464002，资助经费48万元，项目起止年月：2015/01 – 2018/12。主持。
2. 贵州省功率元器件可靠性重点实验室开放基金项目“三维集成功率MOS器件研究”，项目编号：KFJJ201504，6.2万元，2015.09-2016.08，主持。
3. 贵州省重大科技专项“单片高压功率模拟集成电路关键技术研究与产业化”，项目编号：黔科合重大专项字[2015]6006，471万元，子课题1经费：43万，2015/10-2018/10，子课题1负责人。

1. 刘雪飞，刘娇，杨发顺*. 一种降压型DC-DC变换器动态斜坡补偿电路设计，微电子学，2013年第43卷第2期
2. 龚红，马奎，傅兴华，丁召，杨发顺*. 一种超结高压肖特基势垒二极管. 半导体技术，2014年第39卷第9期，pp.666-670
3. Kui Ma, Xing-hua Fu, Jie-xing Lin, Fa-shun Yang*. Advanced BCD Technology with Vertical DMOS Based on a Semi-insulation Structure. Journal of Semiconductors, 2016, 37(7): 074004-7
4. 马奎，杨发顺*.一种新型硅基半绝缘结构的研究. 半导体技术，2016年第10期（已录用）
5. Kui Ma, Fa-shun Yang, Jie-xing Lin, Xing-hua Fu. A Semi-insulation Structure for Integrating Vertical DMOS in Smart Power Integrated Circuits. IEEE TENCON 2013. 10, pp.1-3. Xi'an, China, 2013
6. 马奎，杨发顺，林洁馨，傅兴华. 一种DMOS漏极背面引出的BCD工艺. 微电子学与计算机，2013年第30卷第10期，pp.93-96
7. Kui Ma, Fa-shun Yang, Xing-hua Fu. Schottky Barrier Diode Based on Super-Junction Structure. Journal of University of Electronic Science and Technology of China，2015, 44(1):134-139

1. 傅兴华，马奎，杨发顺，王建卫，黄连帅，一种汽车电压调节电路，2012.12.12 -2032.9.17，中国，CN201210342032.0。
2. 傅兴华，马奎，杨发顺，林洁馨，一种基于外延技术的三维集成功率半导体及其制作方法，2013.4.3-2033.1.21，中国，CN201310020817.0。
3. 傅兴华，马奎，杨发顺，林洁馨，一种基于键合技术的三维集成功率半导体及其制作工艺，2013.4.10-2032.12.20，中国，CN201210559200.1。